8 月 26 日的 IT House 新闻？半导体制造及先进晶圆级封装设备供应商盛美半导体设备今日发布新品——Ultra ECP GIII电镀设备，支持化合物半导体（SiC、GaN）和砷化镓（GaAs）晶圆级封装。该系列设备还可以在背面进行深孔工艺镀金（Au），具有更好的均匀性和阶梯覆盖。 Ultra ECP GIII还配备了支持6英寸平边和V型槽晶圆批量加工的全自动平台，并结合森美半导体的第二阳极和高速栅极技术，实现最佳性能。

森微设备表示：“随着电动汽车、5G 通信、射频与AI应用需求旺盛，化合物半导体市场蓬勃发展。长期以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，产量有限。此外，大多数电镀工艺都是采用立式电镀设备进行的，均匀性较差。盛美新开发的Ultra ECP GIII卧式电镀设备克服了这两大难点，满足了化合物半导体日益增长的产量和先进的性能要求。”

盛美Ultra ECP GIII设备通过两项技术，实现性能优势: 盛美半导体的二次阳极和高速栅极技术，二次阳极技术可以有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异带来的问题，实现出色的均匀性控制。晶圆边缘区域和V型槽区域的图案，镀层均匀度在3%以内。

盛美的高速网格技术可以实现更强的搅拌效果，增强传质，从而显着提高步骤深孔工艺中的覆盖率，增加阶梯覆盖率可以降低金膜的厚度。所以为客户节省成本。

Summit Semiconductor 的 Ultra ECP GIII 已获得中国化合物半导体制造商的两个订单。一级设备采用二级阳极工艺的铜镍锡镀银模块，集真空预湿室和后清洗室为一体。应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二批设备适用于镀金系统，将于今年下季度交付给客户。